Esaki Diode

释义 Definition

江崎二极管（也称 隧道二极管）：一种重掺杂的 p-n 结半导体二极管，利用量子隧穿效应导电，典型特征是具有负微分电阻区（电压升高时电流反而下降），常用于高频振荡、快速开关与微波电路等。

发音 Pronunciation (IPA)

/eɪˈsɑːki ˈdaɪoʊd/

例句 Examples

The Esaki diode can switch very fast.
江崎二极管可以实现非常快速的开关。

Because it shows negative differential resistance, an Esaki diode is often used to build high-frequency oscillators.
由于它具有负微分电阻特性，江崎二极管常用于构建高频振荡器。

词源 Etymology

“Esaki” 来自日本物理学家 江崎玲於（Leo Esaki） 的姓氏；他在 1950 年代研究窄 p-n 结时发现了隧穿导电与负微分电阻等现象。“diode” 源自希腊语前缀 **di-**（“二”）+ -ode（与电极相关），表示“二极”的器件。

相关词 Related Words

• Diode
• Tunnel Diode
• Zener Diode
• PN Junction
• Negative Resistance
• Quantum Tunneling
• Semiconductor

文献与作品 Literary Works

• Leo Esaki, “New Phenomena in Narrow Germanium p-n Junctions”（1958，Physical Review）：首次系统报告隧道二极管相关现象的经典论文。
• S. M. Sze & Kwok K. Ng, **Physics of Semiconductor Devices**：在二极管与隧穿效应章节中讨论隧道二极管/江崎二极管。
• Ben G. Streetman & Sanjay Banerjee, **Solid State Electronic Devices**：以教学方式介绍隧道二极管与负微分电阻特性。
• Leo Esaki, Nobel Lecture（与隧穿现象相关的诺奖演讲/材料）：回顾其发现与意义。