III–V Compound

Definition 定义

III–V compound（III-V族化合物/Ⅲ-Ⅴ族化合物）：指由元素周期表第13族（旧称III族）与第15族（旧称V族）元素组成的化合物半导体材料，常见如 GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓） 等，广泛用于高速电子器件、激光器、LED、光通信与射频器件等领域。（该短语在不同语境下也可泛指相关材料体系与器件平台。）

Pronunciation 发音

/ˌθriː baɪ ˈfaɪv ˈkɒmpaʊnd/

Etymology 词源

“III–V”来自早期元素分族的罗马数字写法：III族（现代IUPAC为第13族，如B、Al、Ga、In）与V族（现代为第15族，如N、P、As、Sb）形成的化合物；“compound”意为“化合物”。该术语在半导体工业与材料科学发展中固定下来，用以区别于硅/锗（IV族）等材料体系。

Examples 例句

III–V compounds are widely used in LEDs and laser diodes.
III–V族化合物广泛用于LED和激光二极管。

Because of their direct band gap, many III–V compounds enable efficient light emission and high-speed optoelectronic devices.
由于具有直接带隙，许多III–V族化合物能够实现高效发光，并用于高速光电子器件。

Related Words 相关词

• Gallium Arsenide
• Indium Phosphide
• Gallium Nitride
• Compound Semiconductor
• Direct Band Gap
• Heterostructure
• Epitaxy
• Optoelectronics
• Photonic
• Semiconductor

Literary Works 文学与著作例证

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze, Kwok K. Ng）：讨论III–V族材料在器件中的应用与物理机制。
• Semiconductor Optoelectronic Devices（Pallab Bhattacharya）：多处涉及III–V族化合物的发光与激光器件。
• Optoelectronics and Photonics: Principles and Practices（S. O. Kasap）：以III–V材料为例介绍光电子与光子器件基础。
• Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties（Peter Y. Yu, Manuel Cardona）：涵盖包括III–V化合物在内的半导体材料性质与能带概念。